Твердотельные диски (SSD)
Типы памяти
SLC (single-level cell) - 1-битовая ячейка. Элементарная ячейка хранит один бит информации.
MLC (multi-level cell) - 2-битовые ячейки. Память с 4 уровнями заряда (2 бита) на каждую ячейку. Выдерживает 3000 циклов полной перезаписи информации.
TLC (triple-level cell) - 3-битовые ячейки. Более дешёвая в пересчёте на объём память с 8 уровнями (3 бита). Выдерживает 1000 циклов полной перезаписи информации.
QLC (quad-level cell) - 3-битовые ячейки. Память с 16 уровнями заряда (4 бита) на каждую ячейку.
Метод соединения ячеек в массив
NOR — использует классическую двумерную матрицу проводников, в которой на пересечении строк и столбцов установлено по одной ячейке. При этом проводник строк подключается к стоку транзистора, а столбцов — ко второму затвору. Исток подключается к общей для всех подложке. Технология NOR позволяет получить быстрый доступ индивидуально к каждой ячейке, однако площадь ячейки велика.
NAND — трёхмерный массив. В основе та же самая матрица, что и в NOR, но вместо одного транзистора в каждом пересечении устанавливается столбец из последовательно включенных ячеек. Ячейки имеют малую площадь, но относительно длительный доступ сразу к большой группе ячеек.
3D NAND — NAND, в котором ячейки размещены не только в плоскости, но еще и слоями. Таким образом, чип получает трехмерную структуру и способен вмещать значительно больше информации на единицу площади, нежели двухмерные кристаллы. Также у этой памяти более высокая скорость работы. Этого удалось достичь за счет упрощения алгоритма записи в ячейку – теперь вместо трех операций выполняется всего одна. Упрощение алгоритма стало возможным благодаря меньшей интерференции между ячейками. В случае с планарной памятью из-за возможных помех между соседними ячейками требовался дополнительный анализ перед записью. Вертикальная память свободна от этой проблемы, и запись выполняется за один шаг.
Для SSD (показываеть виктория). В скобках для Speccy и др.
05. Reallocated Sector Count
(Переназначенные сектора) Число вышедших из строя секторов.
12. Power cycle count
Количество полных циклов включения-выключения диска.
161 (A1). Number of valid spare block
Количество запасных блоков
164 (A4). Total erase count
Общее количество стираний
165. Maximum erase count
Среднее максимальное количество стираний
166. Minimum erase count
Среднее минимальное количество стираний
167. SSD protect mode / Average erase count
Режим защиты SSD / среднее количество стираний
169. Total bad block bound / SMI remain life (percentage)
Всего плохих блоков / SMI оставшийся срок службы (в процентах)
176. Erase fail count in worst die
Число неудачных попыток стирания
177 (B1). Wear Leveling Count
(Операций Wear Leveling) Текущий уровень жизни (Износ NAND)
178. Used reserved block count (Chip)
Используемое число резервных блоков
192. Unsafe shutdown count
Число небезопасных отключений
194. Temperature controller
(Температура) Значение температуры.
195. Hardware ECC controller
Число коррекции ошибок аппаратной частью диска (чтение, позиционирование, передача по внешнему интерфейсу).
199 (С7). UltraDMA CRC Error Count
Число ошибок, возникающих при передаче данных по внешнему интерфейсу в режиме UltraDMA.
Количество попыток понижения режима SATA.
244. Thermal Throttle Status
Термальное Состояние механизма пропуска части машинных тактов (циклов) в цифровой электронике с целью синхронизации работы различных компонентов.
245. Timed Workload Media Wear (Временная Нагрузка Носитель Износ)
246. Timed Workload Host Read / Write Ratio
Коэффициент Чтения / Записи Узла Синхронизированной Рабочей Нагрузки
250. Read error retry rate
Число ошибок во время чтения
251. Writes to flash
Для HDD (показываеть виктория). В скобках для Speccy и др.
1. Raw read error count
Частота ошибок при чтении данных с диска, происхождение которых обусловлено аппаратной частью диска.
2. Throughput performance Общая производительность диска.
3. Spin-up times
Время раскрутки пакета дисков из состояния покоя до рабочей скорости.
DDR SDRAM (от англ. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных) — тип компьютерной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа SDRAM. Напряжение питания 2,5 В.
DDR2 SDRAM (англ. double-data-rate two synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, второе поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти DDR SDRAM (2003 год). Напряжение питания 1,8 В.
DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM, увеличив размер предподкачки с 4 бит до 8 бит. Напряжение питания 1,5 В.
DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate four synchronous dynamic random access memory) — четвёртое поколение оперативной памяти, являющееся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR SDRAM. Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением питания 1,2 В (2014 год).
DDR4 - тип памяти;
3200 МГц - тактовая частота памяти;
PC25600 - пропускная способность памяти. 3200 х 8 = 25 600 МБит/с или 3200 МБайт/с.
Поскольку DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) - Усовершенствованный тип SDR SDRAM с удвоенным количеством данных передаваемых за так, то реальная частота работы данного модуля ОП равна 3200/2 = 1600 МГц, где 3200 МГц - эффективная частота памяти (по стандартам DDR).
Пример 2 (Программа Speccy):
Тип DDR3
Объём 2048 МБ
Изготовитель Kingston
Пропускная способность PC3-10700 (667 МГц)
Здесь 667 МГЦ реальная частота, 1333 МГц - эффективная частота (1333 х 8 = 10664)
SATA (англ. Serial ATA - последовательный АТА) — последовательный интерфейс обмена данными с накопителями информации. SATA является развитием параллельного интерфейса ATA (IDE), который после появления SATA был переименован в PATA (Parallel ATA). 2003 год.
USB (ю-эс-би, англ. Universal Serial Bus — «универсальная последовательная шина») — последовательный интерфейс для подключения периферийных устройств к вычислительной технике.
Типы USB-разъёмов
Спецификация USB 3.0 повышает максимальную скорость передачи информации до 5 Гбит/с (640 МБайт/с).
В версии USB 3.0 увеличили силу тока с 500 мА до 900 мА.
USB 3.1 (2013 год)
В USB 3.1 входит два стандарта[14]:
TFT LCD (thin-film transistor — тонкоплёночный транзистор) - жидкокристаллический дисплей с активной матрицей — разновидность жидкокристаллических мониторов, в которых управление пикселями производится с помощью активной матрицы из транзисторов либо диодов.
IPS (in-plane switching, переключение в плоскости) [1996 год]. Технология предназначалась для избавления от недостатков TN + film. Хотя с помощью IPS и удалось добиться увеличения угла обзора до 178°, а также высокой контрастности и цветопередачи, время отклика осталось на низком уровне. IPS-матрицы имеют 8 бит на канал.
VA/MVA/PVA (сокр. от vertical alignment — вертикальное выравнивание) [1996 год]. Достоинствами технологии MVA являются глубокий чёрный цвет (при перпендикулярном взгляде) и отсутствие как винтовой структуры кристаллов, так и двойного магнитного поля. Недостатки MVA в сравнении с S-IPS: пропадание деталей в тенях при перпендикулярном взгляде, зависимость цветового баланса изображения от угла зрения.
Недостаток - невозможность установить 120-миллиметровые куллеры.
Midi-Tower
https://www.dns-shop.ru/product/74a9d1245f8d3330/korpus-dexp-dc-101b-cernyj/characteristics/
3D NAND — NAND, в котором ячейки размещены не только в плоскости, но еще и слоями. Таким образом, чип получает трехмерную структуру и способен вмещать значительно больше информации на единицу площади, нежели двухмерные кристаллы. Также у этой памяти более высокая скорость работы. Этого удалось достичь за счет упрощения алгоритма записи в ячейку – теперь вместо трех операций выполняется всего одна. Упрощение алгоритма стало возможным благодаря меньшей интерференции между ячейками. В случае с планарной памятью из-за возможных помех между соседними ячейками требовался дополнительный анализ перед записью. Вертикальная память свободна от этой проблемы, и запись выполняется за один шаг.
Основные пункты SMART
https://www.ixbt.com/storage/hdd-smart-testing.shtml
05. Reallocated Sector Count
(Переназначенные сектора) Число вышедших из строя секторов.
09. Power-on time
(Время наработки) Сколько времени реально работал SSD.
(Время наработки) Сколько времени реально работал SSD.
12. Power cycle count
Количество полных циклов включения-выключения диска.
161 (A1). Number of valid spare block
Количество запасных блоков
164 (A4). Total erase count
Общее количество стираний
165. Maximum erase count
Среднее максимальное количество стираний
166. Minimum erase count
Среднее минимальное количество стираний
167. SSD protect mode / Average erase count
Режим защиты SSD / среднее количество стираний
169. Total bad block bound / SMI remain life (percentage)
Всего плохих блоков / SMI оставшийся срок службы (в процентах)
176. Erase fail count in worst die
Число неудачных попыток стирания
177 (B1). Wear Leveling Count
(Операций Wear Leveling) Текущий уровень жизни (Износ NAND)
178. Used reserved block count (Chip)
Используемое число резервных блоков
192. Unsafe shutdown count
Число небезопасных отключений
194. Temperature controller
(Температура) Значение температуры.
195. Hardware ECC controller
Число коррекции ошибок аппаратной частью диска (чтение, позиционирование, передача по внешнему интерфейсу).
199 (С7). UltraDMA CRC Error Count
Число ошибок, возникающих при передаче данных по внешнему интерфейсу в режиме UltraDMA.
241 (F1) Total LBA write
Всего записано ГБайт
242 (F2) Total LBA read
Всего прочитано ГБайт
243. SATA interface downshiftsВсего записано ГБайт
242 (F2) Total LBA read
Всего прочитано ГБайт
Количество попыток понижения режима SATA.
244. Thermal Throttle Status
Термальное Состояние механизма пропуска части машинных тактов (циклов) в цифровой электронике с целью синхронизации работы различных компонентов.
245. Timed Workload Media Wear (Временная Нагрузка Носитель Износ)
246. Timed Workload Host Read / Write Ratio
Коэффициент Чтения / Записи Узла Синхронизированной Рабочей Нагрузки
250. Read error retry rate
Число ошибок во время чтения
251. Writes to flash
Запись во флеш
252. Reported errors count
Количество ошибок
253. unknow attribut
незнакомый атрибут
254. G-SENSOR shock counter
Число внешних нагрузок и ударов.
Для HDD (показываеть виктория). В скобках для Speccy и др.
1. Raw read error count
Частота ошибок при чтении данных с диска, происхождение которых обусловлено аппаратной частью диска.
2. Throughput performance Общая производительность диска.
3. Spin-up times
Время раскрутки пакета дисков из состояния покоя до рабочей скорости.
4. Number of spin-up times
Полное число циклов запуск-остановка шпинделя.
05. Reallocated Sector Count
(Переназначенные сектора) Число вышедших из строя секторов.
(Переназначенные сектора) Число вышедших из строя секторов.
7. Seek error rate
Частота ошибок при позиционировании блока магнитных головок.
8. Seek Time Performance
Средняя производительность операции позиционирования магнитными головками.
09. Power-on time
(Время наработки) Сколько времени реально работал HDD.
(Время наработки) Сколько времени реально работал HDD.
10. Spin-up reties
Число повторных попыток раскрутки дисков до рабочей скорости в случае, если первая попытка была неудачной.
12. Power cycle count
Количество полных циклов включения-выключения диска.
Количество полных циклов включения-выключения диска.
192. Power-off retract count
Число циклов выключений или аварийных отказов
193. Load/unload Cycle count
Количество циклов перемещения блока магнитных головок в парковочную зону / в рабочее положение.
194. HDA temperature
Показания встроенного термодатчика для механической части диска — банки (HDA — Hard Disk Assembly).
196. Reallocated event count
Число операций переназначения секторов.
197. Current pending sectors
Число секторов, являющихся кандидатами на замену.
198. Uncorrectable Sector Count
Число не корректируемых (средствами диска) секторов.
199. UltraDMA CRC Error
Число ошибок, возникающих при передаче данных по внешнему интерфейсу в режиме UltraDMA.
Материнские платы, процессоры
Сокет (Socket, Разъём центрального процессора) - гнездовой или щелевой разъём (гнездо) в материнской плате, предназначенный для установки в него центрального процессора.
AM4 - сокет, представленный в 2016 году компанией AMD для микропроцессоров с микроархитектурой Zen (бренд Ryzen[2]) и последующих[3][4]. Разъём относится к типу PGA (pin grid array) и имеет 1331 контакт[5].
Чипсе́т (chipset, набор системной логики) — набор микросхем, спроектированных для совместной работы с целью выполнения набора заданных функций. Так, в компьютерах чипсет, размещаемый на материнской плате, выполняет функцию связующего компонента (моста), обеспечивающего взаимодействие центрального процессора (ЦП) c различными типами памяти, устройствами ввода-вывода, контроллерами и адаптерами ПУ, как непосредственно через себя (и имея некоторые из них в своём составе), так и через другие контроллеры и адаптеры, с помощью многоуровневой системы шин.[1]
A320 - чипсет компании AMD.
Виктория показала:
Disk size: 1465149168 LBAs 750 Gb
Вычисляем: 1 LBAs = 750 000 000 000 / 1 465 149 168 = 512 байт! (размер сектора)
[Windows]+[X] --> fsutil fsinfo ntfsinfo X:. В этом случае Х – буква вашего диска.
Байт на сектор: 512
Байт на физический сектор: 512
Байт на кластер: 4096
Байт на сегмент FileRecord: 1024
Размер сектора: 512 байт (увидели, при выполнении команды fsutil fsinfo ntfsinfo X:)
Объём 1 465 149 168 х 512 = 750 156 374 016 байт
или 750 156 373 504 / 1 073 741 824 = 698,6 ГБайт.
Пример 2. SSD Smartbuy Splash 3
Виктория показала:
Disk size: 234441648 LBAs 120 Gb
Вычисляем: 1 LBAs = 120 000 000 000 / 234 441 648 = 512 байт! (размер сектора)
[Windows]+[X] --> fsutil fsinfo ntfsinfo X:. В этом случае Х – буква вашего диска.
Байт на сектор: 512
Байт на физический сектор: 512
Байт на кластер: 4096
Байт на сегмент FileRecord: 1024
LBA (Сектора, кластеры)
Пример 1. HDD WDC WD7501AALS-00E3A0Виктория показала:
Disk size: 1465149168 LBAs 750 Gb
Вычисляем: 1 LBAs = 750 000 000 000 / 1 465 149 168 = 512 байт! (размер сектора)
[Windows]+[X] --> fsutil fsinfo ntfsinfo X:. В этом случае Х – буква вашего диска.
Байт на сектор: 512
Байт на физический сектор: 512
Байт на кластер: 4096
Байт на сегмент FileRecord: 1024
Размер сектора: 512 байт (увидели, при выполнении команды fsutil fsinfo ntfsinfo X:)
Объём 1 465 149 168 х 512 = 750 156 374 016 байт
или 750 156 373 504 / 1 073 741 824 = 698,6 ГБайт.
Пример 2. SSD Smartbuy Splash 3
Виктория показала:
Disk size: 234441648 LBAs 120 Gb
Вычисляем: 1 LBAs = 120 000 000 000 / 234 441 648 = 512 байт! (размер сектора)
[Windows]+[X] --> fsutil fsinfo ntfsinfo X:. В этом случае Х – буква вашего диска.
Байт на сектор: 512
Байт на физический сектор: 512
Байт на кластер: 4096
Байт на сегмент FileRecord: 1024
Размер сектора: 512 байт (увидели, при выполнении команды fsutil fsinfo ntfsinfo X:)
Объём 234 441 648 х 512 = 120 034 123 776 байт
или 120 034 123 776 / 1 073 741 824 = 111,8 ГБайт.
Объём 234 441 648 х 512 = 120 034 123 776 байт
или 120 034 123 776 / 1 073 741 824 = 111,8 ГБайт.
Оперативная память
DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом).
SDRAM (англ. Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом) — тип запоминающего устройства, использующегося в компьютере и других цифровых устройствах в качестве ОЗУ. В отличие от других типов DRAM, использовавших асинхронный обмен данными, ответ на поступивший в устройство управляющий сигнал возвращается не сразу, а лишь при получении следующего тактового сигнала. Тактовые сигналы позволяют организовать работу SDRAM в виде конечного автомата, исполняющего входящие команды. При этом входящие команды могут поступать в виде непрерывного потока, не дожидаясь, пока будет завершено выполнение предыдущих инструкций (конвейерная обработка): сразу после команды записи может поступить следующая команда, не ожидая, когда данные окажутся записаны. Поступление команды чтения приведёт к тому, что на выходе данные появятся спустя некоторое количество тактов — это время называется задержкой и является одной из важных характеристик данного типа устройств.
SIMM (англ. single in-line memory module — односторонний модуль памяти) — название модулей памяти с однорядным расположением контактов, широко применявшихся в компьютерных системах в 1990-е годы.
DIMM (англ. Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) — форм-фактор модулей памяти DRAM. Данный форм-фактор пришёл на смену форм-фактору SIMM. Основным отличием DIMM от предшественника является то, что контакты, расположенные на разных сторонах модуля, являются независимыми, в отличие от SIMM, где симметричные контакты, расположенные на разных сторонах модуля, замкнуты между собой и передают одни и те же сигналы. Кроме того, DIMM реализует функцию обнаружения и исправления ошибок в 64 (без контроля чётности) или 72 (с контролем по чётности или коду ECC) линиях передачи данных, в отличие от SIMM c 32 линиями.
SO-DIMM (англ. small outline DIMM) — модули памяти, отличающиеся небольшими размерами и предназначенные для применения в портативных и компактных устройствах (на материнских платах форм-фактора Mini-ITX, в ноутбуках, таблетах и т. п.), в принтерах, в сетевой и телекоммуникационной технике и т. п. Широко применяются конструктивно уменьшенные модули DRAM (как SDRAM, так и DDR SDRAM), представляющие собой аналоги модулей DIMM в компактном исполнении для экономии места. Существуют в 72-, 100-, 144-, 200- и 204-контактном исполнении.
DIMM (англ. Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) — форм-фактор модулей памяти DRAM. Данный форм-фактор пришёл на смену форм-фактору SIMM. Основным отличием DIMM от предшественника является то, что контакты, расположенные на разных сторонах модуля, являются независимыми, в отличие от SIMM, где симметричные контакты, расположенные на разных сторонах модуля, замкнуты между собой и передают одни и те же сигналы. Кроме того, DIMM реализует функцию обнаружения и исправления ошибок в 64 (без контроля чётности) или 72 (с контролем по чётности или коду ECC) линиях передачи данных, в отличие от SIMM c 32 линиями.
SO-DIMM (англ. small outline DIMM) — модули памяти, отличающиеся небольшими размерами и предназначенные для применения в портативных и компактных устройствах (на материнских платах форм-фактора Mini-ITX, в ноутбуках, таблетах и т. п.), в принтерах, в сетевой и телекоммуникационной технике и т. п. Широко применяются конструктивно уменьшенные модули DRAM (как SDRAM, так и DDR SDRAM), представляющие собой аналоги модулей DIMM в компактном исполнении для экономии места. Существуют в 72-, 100-, 144-, 200- и 204-контактном исполнении.
DDR SDRAM (от англ. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных) — тип компьютерной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа SDRAM. Напряжение питания 2,5 В.
DDR2 SDRAM (англ. double-data-rate two synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, второе поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти DDR SDRAM (2003 год). Напряжение питания 1,8 В.
DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM, увеличив размер предподкачки с 4 бит до 8 бит. Напряжение питания 1,5 В.
DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate four synchronous dynamic random access memory) — четвёртое поколение оперативной памяти, являющееся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR SDRAM. Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением питания 1,2 В (2014 год).
Расшифровка названия
Пример 1 (Из магазина DNS): DDR4, 3200 МГц, PC25600DDR4 - тип памяти;
3200 МГц - тактовая частота памяти;
PC25600 - пропускная способность памяти. 3200 х 8 = 25 600 МБит/с или 3200 МБайт/с.
Поскольку DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) - Усовершенствованный тип SDR SDRAM с удвоенным количеством данных передаваемых за так, то реальная частота работы данного модуля ОП равна 3200/2 = 1600 МГц, где 3200 МГц - эффективная частота памяти (по стандартам DDR).
Пример 2 (Программа Speccy):
Тип DDR3
Объём 2048 МБ
Изготовитель Kingston
Пропускная способность PC3-10700 (667 МГц)
Здесь 667 МГЦ реальная частота, 1333 МГц - эффективная частота (1333 х 8 = 10664)
Инерфейсы
ATA (англ. Advanced Technology Attachment - продвинутое (передовое) технологическое соединение) или IDE (англ. Integrated Drive Electronics) — параллельный интерфейс подключения накопителей (жёстких дисков и оптических дисководов) к компьютеру. В 1990-е годы был стандартом на платформе IBM PC; в настоящее время вытеснен своим последователем — SATA — и с его появлением получил название PATA (Parallel ATA). Максимальная теоретически возможная скорость в кабеле 133 МБ/с.
SATA (англ. Serial ATA - последовательный АТА) — последовательный интерфейс обмена данными с накопителями информации. SATA является развитием параллельного интерфейса ATA (IDE), который после появления SATA был переименован в PATA (Parallel ATA). 2003 год.
SATA-устройства используют два разъёма: 7-контактный (подключение шины данных) и 15-контактный (подключение питания).
Поколения SATA
SATA Revision 1.0 (до 1,5 Гбит/с) - 2003 год.SATA Revision 3.0 (до 6 Гбит/с) [SATA 6 GB] - 2008 год.
USB
USB (ю-эс-би, англ. Universal Serial Bus — «универсальная последовательная шина») — последовательный интерфейс для подключения периферийных устройств к вычислительной технике.Типы USB-разъёмов
 |
| Type-C |
Спецификация выпущена 15 января 1996 года.
Технические характеристики:
- два режима работы:
- режим с низкой пропускной способностью (Low-Speed) — 1,5 Мбит/с;
- режим с высокой пропускной способностью (Full-Speed) — 12 Мбит/с (1,5 МБайт/с);
- максимальная длина кабеля (без экрана) для режима Low-Speed — 3 м;
- максимальная длина кабеля (в экране) для режима Full-Speed — 5 м;
- максимальное количество подключённых устройств (включая размножители) — 127;
- возможно подключение «разноскоростных» периферийных устройств к одному контроллеру USB;
- напряжение питания для периферийных устройств — 5 В;
- максимальный ток, потребляемый периферийным устройством, — 500 мА.
USB 2.0 (цвет чёрный)
Спецификация выпущена в апреле 2000 года.
USB 2.0 отличается от USB 1.1 введением режима High-speed (пометка на логотипе — «HI-SPEED»[4]).
Для устройств USB 2.0 регламентировано три режима работы:
- Low-speed, 10-1500 Кбит/c (клавиатуры, мыши, джойстики, геймпады);
- Full-speed, 0,5-12 Мбит/с (аудио-, видеоустройства);
- High-speed, 25-480 Мбит/с (видеоустройства, устройства хранения информации) ((3 - 60 МБайт/с)).
USB 3.0 (цвет синий) (2008 год)
В версии USB 3.0 увеличили силу тока с 500 мА до 900 мА.
USB 3.1 (2013 год)
В USB 3.1 входит два стандарта[14]:
- SuperSpeed (USB 3.1 Gen 1) со скоростью до 5 Гбит/с, такой же, как и у USB 3.0;
- SuperSpeed+ (USB 3.1 Gen 2) со скоростью до 10 Гбит/с, удвоенная USB 3.0.
Типы матриц ЖК-мониторов
LCD (liquid crystal display, жидкокристаллический дисплей) - дисплей на основе жидких кристаллов.TFT LCD (thin-film transistor — тонкоплёночный транзистор) - жидкокристаллический дисплей с активной матрицей — разновидность жидкокристаллических мониторов, в которых управление пикселями производится с помощью активной матрицы из транзисторов либо диодов.
Типы ЖК-экранов
TN + film (Twisted Nematic + film, сплетённый нематический) — самая простая технология. Слово «film» в названии технологии означает «дополнительный слой», применяемый для увеличения угла обзора (ориентировочно — от 90 до 150°). В настоящее время приставку «film» часто опускают, называя такие матрицы просто TN. Способа улучшения контрастности и углов обзора для панелей TN пока не нашли, причём время отклика у данного типа матриц является на настоящий момент одним из лучших, а вот уровень контрастности — нет. TN-матрицы имеют 6 бит на канал.
IPS (in-plane switching, переключение в плоскости) [1996 год]. Технология предназначалась для избавления от недостатков TN + film. Хотя с помощью IPS и удалось добиться увеличения угла обзора до 178°, а также высокой контрастности и цветопередачи, время отклика осталось на низком уровне. IPS-матрицы имеют 8 бит на канал.
VA/MVA/PVA (сокр. от vertical alignment — вертикальное выравнивание) [1996 год]. Достоинствами технологии MVA являются глубокий чёрный цвет (при перпендикулярном взгляде) и отсутствие как винтовой структуры кристаллов, так и двойного магнитного поля. Недостатки MVA в сравнении с S-IPS: пропадание деталей в тенях при перпендикулярном взгляде, зависимость цветового баланса изображения от угла зрения.
Размеры корпусов
Mini-Tower https://www.dns-shop.ru/product/3fb620cbe39e3330/korpus-linkworld-727-21-cernyj/characteristics/
|
Midi-Tower
https://www.dns-shop.ru/product/74a9d1245f8d3330/korpus-dexp-dc-101b-cernyj/characteristics/
| 413 мм | |
| 198 мм | |
| 422 мм |
Комментарии
Отправить комментарий